MM3Z6V8ST1G的技术参数

详细内容

产品型号:MM3Z6V8ST1G
齐纳击穿电压Vz最小值(V):5.650
齐纳击穿电压Vz典型值(V):6.800
齐纳击穿电压Vz最大值(V):6.930
@Izt(mA):5
齐纳阻抗Zzt(Ω):160
最大功率PMax(W):0.200
芯片标识:TF
封装/温度(℃):SOD323/-65~150
价格/1片(套):￥.25